考试科目名称：半导体物理考试科目代码：[806]
一、考试要求：
全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程，并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。
二、考试内容：
1）能带论
a:半导体电子状态和能带
b:半导体电子的运动
c:本征半导体的导电机构
d:硅和锗的能带结构
2)杂质半导体理论
a:硅和锗晶体中的杂质能级
3)载流子的统计分布
a: 状态密度与载流子的统计分布
b: 本征与杂质半导体的载流子浓度
c: 一般情况下载流子统计分布
d: 简并半导体
4)半导体的导电性
a: 载流子的漂移运动与散射运动
b: 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
5)非平衡载流子
a: 非平衡载流子的注入、复合与寿命
b: 准费米能级
c: 复合理论
d: 陷阱效应
e: 电流密度方程
f: 连续性方程
6)p-n结理论
a: p-n结及其能带图
b: p-n结电流电压特性
7)金属-半导体接触理论
a: 金-半接触、能带及整流理论
b: 欧姆接触
8)半导体表面理论
a: 表面态及表面电场效应
b: MIS结构电容-电压特性
c: 硅-二氧化硅系统的性质
9)半导体光电效应
a: 半导体的光学常数和光吸收
b: 半导体的光电导效应
c: 半导体的光生伏特效应
三、试卷结构：
a)考试时间：180分钟，满分：150分
b)题型结构
a:概念简答题（30分)
b:论述题(60分)
c:理论推导及应用计算题(60分)
四、参考书目
1. 刘恩科，半导体物理学（第四版），国防工业出版社
2. 刘晓为等，固态电子论，电子工业出版社
